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XUV04MBP-GE
X光相机采用新一代无抗反射镀膜背照式sCMOS芯片,在对应1.2eV-1000eV光子能量范围内量子效率大幅提升,整体超过了90%,部分波段达到了近乎100%的超高水平,具有更专业的软X射线、极紫外成像性能和抗辐射损伤能力。采用深度制冷设计,可兼容高真空腔体环境应用,大幅降低相机本底噪声和热噪声,提升相机的长时曝光工作时间。
产品型号 XUV04MBP-GE
图像传感器 无抗反射镀膜背照式sCMOS
快门模式 卷帘快门/仿全局快门
图像阵列 2048×2048(H×V)
像素尺寸 11µm×11µm
靶面尺寸 32mm,2英寸
数据位宽 16bit
动态范围 90dB
读出噪声 <2e-
满肼电子 80000e-
暗电流 6.5e-/p/s@10℃
光谱范围 1.2eV~1000eV;1nm~1100nm
峰值量子效率 约100%,详见光谱响应曲线
响应线性度 >99%
DSNU <2e-
PRNU <1.5%
最高帧频 4fps
曝光时间 60µs~50s
数据接口协议 千兆以太网协议;RJ45
控制/触发接口 1in,BNC同轴电缆,LVTTL电平,沿触发
制冷/散热 半导体制冷、储热材料吸热、低于环境温度10~30°C,控温精度0.1℃
电源/功耗 12VDC,约10~30W
真空工作时间 4小时
光学/安装接口 C/F口
外形尺寸 100mm×100mm×150mm(W×H×L)
重量 约3500g
温度湿度 工作温度:0°C~30°C;存储温度:-10℃~+30℃;湿度:10%~85%
真空兼容度 10-3Pa
操作系统 Windows/Linux/国产操作系统
二次开发库 C、C#、C++、Labview、VB
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